产品名称：陶瓷静电吸盘（Electrostatic Chuck, ESC）—— Johnsen-Rahbek 型
产品简介：用于 AMAT Centura 系列反应腔内，在等离子刻蚀（Plasma Etch）过程中通过高压直流产生静电引力夹持 200mm 晶圆。它替代传统机械夹具，实现零颗粒释放的均匀夹持，并集成氦气背面冷却与嵌入式加热，保障 PVD/CVD/Etch 工艺的温度均匀性。
技术规格：
- 适配晶圆：200mm（8 英寸，兼容 300mm 适配环）
- 陶瓷基体：高纯度氮化铝（AlN ≥ 99.5%）或氧化铝（Al₂O₃）
- 电极：嵌入式钼（Mo）电极栅格
- 底板：6061-T6 铝合金，内置氦气冷却流道
- 夹持电压：-1000 V ~ -3000 V DC
- 夹持力：10-30 N/cm²（均匀）
- 工作温度：-20°C ~ +300°C
- 温控分区：3 区独立
- 表面平整度：< 1 μm
- 真空兼容性：≤ 1×10⁻⁷ Torr
- RF 兼容性：支持 13.56 MHz 射频耦合
- 厚度：约 8 mm（部分资料 19.5 ± 0.1 mm）
功能特点：
- 约翰森型（Johnsen-Rahbek）静电夹持，零机械夹持颗粒
- 低颗粒释放设计，符合 SEMI 标准
- 集成式氦气背面冷却 + 3 区独立加热，整片温度均匀
- 耐等离子体腐蚀陶瓷表面
- 快速 de-chuck（< 1.5s）
工作原理：对嵌入式钼电极施加高负直流电压，晶圆（通过腔壁接地）与吸盘形成电容，由库仑引力 F = ½ × C × V² / d² 将晶圆吸附于吸盘表面
应用场景：PVD 金属薄膜沉积（Cu/Ti/Ta）、等离子刻蚀、CVD/ALD 薄膜生长等对温控和颗粒度敏感的先进制程环节
安装要求：腔体底部法兰固定；每次 PM 后需用 DI 水 + 异丙醇清洗至 99.999% 洁净
使用注意事项：严禁超过 -3000 V，否则有介电击穿风险
GEA 0005-4050-430 
Applied Materials 0190-37684 
Applied Materials 0190-37519 
Applied Materials 0190-30354 