• 产品名称：晶圆边缘环（Wafer Edge Ring）
• 产品简介：该部件安装在晶圆承载台的边缘，用于限定晶圆位置，同时调节等离子体在晶圆边缘的分布，减少边缘效应，保障晶圆全片工艺均匀性，是半导体刻蚀、沉积工艺中提升晶圆良率的重要辅助部件。
• 技术规格
  • 适配晶圆尺寸：300mm，材质：高纯碳化硅，内径：300mm，外径：330mm
  • 厚度：8mm，耐受温度：800℃，耐受等离子体功率：0-5kW
  • 适配腔室：AMAT Endura 300mm 刻蚀腔室，表面硬度：HV≥2500
• 功能特点
  • 高纯碳化硅材质具备优异的耐高温与耐等离子体侵蚀性能，使用寿命长
  • 精准的尺寸设计，与晶圆边缘完美贴合，防止晶圆偏移
  • 特殊表面处理，减少等离子体轰击产生的颗粒，提升工艺洁净度
  • 可优化等离子体鞘层分布，使晶圆边缘与中心的工艺效果保持一致
• 应用场景：适配 AMAT Endura 系列 300mm 刻蚀设备，用于逻辑芯片、存储芯片等半导体器件制造中的刻蚀工艺，保障晶圆边缘区域的刻蚀速率与图形精度，提升晶圆整体良率。