• 产品名称：工艺腔室石墨基座（Process Chamber Graphite Susceptor）
• 产品简介：该基座是半导体工艺腔室中用于承载晶圆的核心部件，采用高纯石墨材质制造，具备优异的耐高温与导热性能，可实现晶圆的均匀加热与稳定支撑，保障薄膜沉积、刻蚀等工艺的均匀性与稳定性。
• 技术规格
  • 适配晶圆尺寸：300mm，材质：高纯石墨（纯度 99.999%），表面涂层：SiC
  • 加热温度范围：室温至 800℃，控温精度：±0.5℃
  • 工作压力：0-10Torr，冷却方式：水冷，重量：8kg
  • 尺寸：320mm×320mm×50mm，表面粗糙度：Ra≤0.1μm
• 功能特点
  • 高纯石墨材质导热性能好，加热均匀，保障晶圆表面温度一致性
  • SiC 涂层耐腐蚀、抗等离子体侵蚀，延长基座使用寿命
  • 具备良好的机械强度，可承受晶圆重量与工艺过程中的压力变化
  • 适配静电吸附功能，可与静电卡盘配合使用，增强晶圆固定效果
• 应用场景：适配 AMAT Centura 系列 300mm CVD、刻蚀设备，用于逻辑芯片、存储芯片等半导体器件制造中的高温工艺，保障薄膜沉积均匀性与刻蚀图形精度。