产品名称：半导体设备射频电源馈通件

产品简介：该产品是应用材料半导体设备的核心射频传输部件，专为超高真空环境下的射频功率馈通设计，采用高纯度无氧铜导电芯与陶瓷绝缘封接工艺，可实现射频功率从设备外部到真空腔室内的高效、无泄漏传输，适配 AMAT 多款刻蚀、等离子体沉积设备的射频系统，是保障射频功率稳定传输、真空腔室密封性能的关键部件。

技术规格：

适配射频频率：13.56MHz/27.12MHz 双频

额定传输功率：6000W

导电芯材质：99.999% 高纯度无氧铜

绝缘封接材质：氮化铝陶瓷

真空适配等级：10^-10 Torr

工作电压：≤10000V

工作温度：-50℃至 300℃

介电强度：≥30kV/mm

封接工艺：金属 - 陶瓷高温钎焊

安装方式：真空腔室法兰式安装

射频传输损耗：＜0.5%

功能特点：支持 13.56MHz/27.12MHz 双频射频传输，适配不同工艺设备的射频频率需求，通用性强；99.999% 高纯度无氧铜导电芯，导电性能优异，射频传输损耗＜0.5%，实现功率的高效传输，降低能量损耗；氮化铝陶瓷绝缘封接，介电强度高、导热性能好，可有效阻隔高压电，同时快速散发射频传输产生的热量，避免局部过热；金属 - 陶瓷高温钎焊封接工艺，封接强度高、密封性能优异，在 10^-10 Torr 超高真空环境下无气体泄漏，保障真空腔室的真空度稳定性；额定传输功率达 6000W，可适配高功率射频等离子体工艺设备的需求，满足高端晶圆制造的工艺要求；法兰式标准化安装，与 AMAT 原厂真空腔室无缝对接，安装与更换便捷，维护成本低；耐温、抗腐蚀性能优异，可耐受工艺腔室的高温、腐蚀环境，长期使用无性能衰减，使用寿命长。

应用场景：主要应用于 AMAT 各类高功率射频等离子体半导体设备，包括等离子体刻蚀设备、PECVD 设备、ICP 设备等，适配 Logic、DRAM、NAND 等高端晶圆制造产线的刻蚀、沉积、灰化等工艺环节，用于实现射频功率从设备外部到真空腔室内的馈通传输，是射频系统与真空腔室连接的核心配套部件。