产品名称腔体内部等离子体屏蔽组件产品简介该组件安装于半导体工艺腔体内部电极与侧壁之间，用于约束等离子体分布、均匀电场强度、屏蔽杂散射频信号，减少异常放电与打火现象，同时保护腔体内部结构免受等离子体冲刷与反应物沉积。技术规格
- 材质：高纯度阳极氧化铝与陶瓷复合材料
- 表面处理：抗等离子体腐蚀专用致密涂层
- 耐温范围：-20℃～350℃连续稳定工作
- 结构形式：一体化精密成型环形结构
- 尺寸精度：微米级装配公差
- 洁净等级：超高洁净、低释气、无粉尘释放功能特点
- 均匀等离子体分布，提升工艺片内均匀性。
- 高效屏蔽杂散电场，降低射频打火与异常放电风险。
- 高耐等离子体冲刷性能，延长部件使用寿命。
- 表面光滑致密，不易附着反应副产物，易于清洁维护。
- 安装定位精准，配合间隙均匀，拆装便捷。
- 不干扰气体流动与压力场分布，保证工艺稳定性。应用场景
- 等离子体刻蚀、PECVD、ALD 工艺腔体
- 射频电极周边电场屏蔽与等离子体约束
- 200mm/300mm 晶圆标准制程设备腔体
- Centura、Endura 系列半导体设备
AMAT 0200-00071 
AMAT 0200-01915 
AMAT 0020-22950 
AMAT 0010-39189 