• 产品名称：腔室内部加热基座组件
• 产品简介：安装在半导体工艺腔室底部的晶圆加热部件，用于为晶圆提供稳定的工艺温度环境，适配 AMAT 200mm 晶圆刻蚀与沉积设备，支持晶圆背面接触式加热，保障晶圆温度均匀性。
• 技术规格
  • 加热材质：内嵌式电阻加热丝，材质为镍铬合金
  • 温度控制范围：25℃~600℃
  • 温度均匀性：±1.5℃（300mm 晶圆表面）
  • 加热功率：3kW
  • 温控精度：±0.5℃
  • 真空耐受度：10⁻⁸ Torr
  • 适配晶圆尺寸：200mm
• 功能特点
  • 采用分区加热设计，基座分为中心区与边缘区独立控温，解决晶圆边缘温度偏低问题
  • 加热丝采用螺旋式排布，加热效率提升 30%，从室温升至 400℃仅需 3 分钟
  • 内置热电偶温度传感器，实时反馈温度数据，温控响应时间≤2s
  • 表面采用氮化铝涂层，具备高导热性与抗腐蚀性，延长基座使用寿命
• 应用场景：200mm 晶圆的干法刻蚀、金属沉积、介质刻蚀工艺，尤其适用于功率半导体、MEMS 器件生产中对晶圆温度要求严格的工艺环节。