• 产品名称：半导体工艺腔室气体流量控制组件
• 产品简介：该组件是半导体 CVD、刻蚀等工艺的关键部件，集成了流量传感器、流量控制器、阀门等核心元件，能精准控制多种工艺气体的流量与配比，确保工艺腔室内反应气体浓度稳定，保障晶圆薄膜沉积或刻蚀的均匀性与一致性。
• 技术规格
  • 适配气体类型：硅烷、氨气、氧气、氟气等多种半导体工艺气体
  • 单通道流量控制范围：0-2000sccm，流量控制精度：±0.5% 满量程
  • 工作压力：0-5bar，工作温度：-10℃至 100℃
  • 接口类型：VCR 气体接口，通道数量：4 路
  • 响应时间：≤500ms，泄漏率：≤1×10^-9 mbar・L/s
• 功能特点
  • 采用质量流量控制技术，不受气体温度、压力变化影响，控制稳定性高
  • 具备自动校准功能，可定期自动校准流量精度，无需人工干预
  • 支持多气体混合配比控制，配比精度达 ±0.1%
  • 内置过流保护与泄漏检测功能，出现异常时自动切断气体供应
  • 可与设备主控系统实时通信，上传流量数据并接收控制指令
• 应用场景：适用于 AMAT Centura 系列 CVD、刻蚀设备，应用于 300mm 晶圆制造中的逻辑芯片、存储芯片等器件的薄膜沉积与刻蚀工艺，也可用于光伏电池片生产设备的气体流量控制。