• 产品名称：等离子体源射频电源（RF Power Generator）
• 产品简介：该电源是半导体等离子体工艺设备的核心部件，为等离子体的产生提供稳定的射频能量，适配中高功率等离子体工艺需求，是保障等离子体密度与稳定性的关键设备。
• 技术规格
  • 工作频率：13.56MHz，半导体工艺主流射频频段
  • 输出功率：0-5000W，功率调节精度 ±1W
  • 功率稳定性：输出功率稳定性≤±0.5%，保障等离子体密度稳定
  • 阻抗匹配范围：10Ω - 500Ω，适配不同工艺负载
  • 冷却方式：风冷与水冷复合散热，散热效率可达 2000W/℃
  • 工作电压：AC 380V ±10%，功率因数≥0.95
  • 工作温度：-10℃至 50℃，适配设备供电环境
• 功能特点
  • 采用数字相位控制技术，可精准调节射频输出相位，适配多电源协同工作需求
  • 具备过功率、过温、过流三重保护功能，当设备出现异常时可快速切断输出，保护核心部件
  • 支持脉冲射频输出，脉冲频率 0-100kHz，占空比 10%-90%，适配高深宽比刻蚀工艺
  • 内置功率监测模块，实时反馈输出功率与反射功率，保障能量利用效率
• 应用场景：适用于 AMAT 的 Endura、Centura 系列刻蚀与沉积设备，广泛应用于 300mm 晶圆的等离子体刻蚀、PECVD、ALD 等工艺，适配逻辑芯片、存储芯片、功率器件的制造过程，尤其在先进工艺节点的高深宽比刻蚀与超薄薄膜沉积中表现突出。