• 产品名称：工艺腔室温度控制加热板组件
• 产品简介：该组件是 AMAT 300mm 晶圆沉积与刻蚀设备的核心温控部件，为晶圆提供均匀稳定的加热环境，通过精准温控保障工艺过程中薄膜生长与图形刻蚀的一致性，适配多种真空工艺腔室，是提升半导体产品良率的关键组件之一。
• 技术规格
  • 适配晶圆尺寸：300mm 标准晶圆
  • 加热温度范围：室温至 550℃，温度调节精度 ±0.8℃
  • 温度均匀性：晶圆表面温度分布误差≤1.5℃，保障全片工艺一致性
  • 材质：基板采用高纯铝，表面覆盖氮化铝陶瓷涂层，具备优异导热性与抗等离子体腐蚀性
  • 真空适配等级：耐受 10^-9 Torr 超高真空环境
  • 加热功率：2000W，升温速率可达 45℃/s
  • 冷却方式：内置高效水冷通道，降温速率 35℃/s
• 功能特点
  • 采用分区独立温控技术，可分别调节晶圆中心与边缘区域温度，补偿工艺边缘效应
  • 内置多组热电偶传感器，实时采集温度数据并反馈至控制系统，实现闭环精准温控
  • 氮化铝陶瓷涂层抗等离子体轰击能力强，使用寿命可达 12000 小时以上
  • 支持快速冷热切换，适配不同工艺阶段的温度需求，提升工艺节拍
• 应用场景：适配 AMAT Endura G3、Centura 系列沉积与刻蚀设备，应用于 300mm 晶圆的 MOCVD、PECVD 等工艺，广泛用于逻辑芯片、功率器件、MEMS 传感器制造，尤其适用于先进工艺中对晶圆温度控制精度要求极高的超薄薄膜沉积环节。