• 产品名称：化学机械抛光（CMP）研磨垫修整器
• 产品简介：该修整器是 CMP 设备的核心部件，用于对研磨垫表面进行修整，去除研磨过程中产生的磨屑和老化层，恢复研磨垫的表面粗糙度和研磨性能，适配应用材料 Mirra、Titan 等系列 CMP 设备，保障晶圆研磨的均匀性和一致性，是 CMP 工艺中维持研磨质量的关键部件。
• 技术规格：
  • 修整器金刚石颗粒尺寸为 30-50μm，分布均匀，密度适中。
  • 金刚石层厚度 0.8-1.2mm，确保足够的使用寿命。
  • 适配研磨垫尺寸 200mm、300mm，满足不同晶圆尺寸的 CMP 设备需求。
  • 工作转速范围 50-200rpm，可根据研磨垫状态调节。
  • 修整压力 0.1-0.5MPa，适配不同研磨工艺的修整需求。
  • 材质采用高强度合金钢基体，具备良好的刚性和耐腐蚀性。
• 功能特点：
  • 金刚石颗粒采用特殊固定工艺，牢固不易脱落，延长修整器使用寿命。
  • 修整器表面轮廓经过优化设计，可均匀修整研磨垫表面，恢复其平整度。
  • 可根据研磨垫的磨损情况，精准控制修整量，提高研磨垫利用率。
  • 结构设计便于安装和更换，降低设备维护成本。
• 应用场景：应用于半导体晶圆的化学机械抛光工艺，如逻辑芯片、存储芯片制造中的晶圆平坦化处理，适配 200mm、300mm 晶圆的 CMP 设备，保障晶圆表面的平坦度和粗糙度符合工艺要求。