• 产品名称：半导体反应腔室石英内衬组件
• 产品简介：作为半导体工艺反应腔室的核心防护部件，该组件用于隔离工艺等离子体与腔室金属壁面，防止金属污染和等离子体侵蚀，适配应用材料 Centura 等系列刻蚀、沉积设备，能有效延长腔室使用寿命，保障晶圆工艺质量，是半导体设备腔室的关键易损件之一。
• 技术规格：
  • 材质为高纯合成石英，纯度达 99.999%，耐高温、抗等离子体腐蚀性能优异。
  • 适配 200mm 晶圆工艺腔室，尺寸公差控制在 ±0.02mm，确保与腔室完美贴合。
  • 最高耐受温度 1100℃，可适应高温工艺环境。
  • 表面粗糙度 Ra≤0.5μm，减少工艺副产物附着，便于清洁。
  • 抗热震性能强，在 800℃至室温的温度骤变下无开裂风险。
  • 真空泄漏率小于 1×10^-10mbar・L/s，保障腔室真空环境稳定。
• 功能特点：
  • 高纯石英材质化学性质稳定，不会与工艺气体发生反应，避免污染晶圆。
  • 精准的尺寸设计，能完全覆盖腔室壁面，有效阻挡等离子体轰击和工艺副产物沉积。
  • 内壁光滑，减少工艺副产物残留，降低腔室清洁频率，提升设备稼动率。
  • 安装结构简单，采用快速卡扣设计，可在 30 分钟内完成更换，减少设备停机时间。
  • 边缘采用圆弧过渡设计，减少等离子体鞘层畸变，保障晶圆表面工艺均匀性。
• 应用场景：广泛应用于半导体等离子体刻蚀、等离子体增强化学气相沉积等工艺设备的反应腔室，如硅刻蚀、金属刻蚀、介质沉积等工艺，适配逻辑芯片、存储芯片等半导体器件的制造流程。