• 产品名称：射频电极绝缘支撑组件
• 产品简介：该组件是半导体设备射频系统的关键绝缘部件，用于支撑射频电极并实现电极与腔室的电气隔离，适配应用材料 13.56MHz 等主流射频频率的工艺设备，能有效防止射频信号泄漏和短路故障，保障射频能量的高效传输和工艺稳定性，是射频系统安全稳定运行的核心部件。
• 技术规格：
  • 材质采用氮化铝陶瓷，热导率高达 170W/(m・K)，兼具优异的绝缘性能和导热性能。
  • 绝缘电阻大于 1×10^12Ω，击穿电压大于 20kV，保障电气隔离效果。
  • 适配射频功率范围 0-5000W，可满足高功率射频工艺需求。
  • 工作温度范围 - 20℃至 400℃，适配工艺腔室的温度变化。
  • 尺寸公差 ±0.01mm，与电极和腔室的配合精度高，安装后无松动。
  • 表面经过特殊处理，耐腐蚀性能强，可抵御工艺气体侵蚀。
• 功能特点：
  • 氮化铝陶瓷材质的高导热性，可快速导出电极工作时产生的热量，避免局部过热。
  • 绝缘性能稳定，不受温度和湿度影响，保障长期使用过程中的电气安全。
  • 结构设计兼顾支撑强度和安装便利性，可快速拆卸更换，降低维护成本。
  • 具备抗振动特性，在设备运行过程中保持稳定，避免因振动导致的接触不良。
  • 与射频电极的匹配性好，减少射频能量反射，提高能量传输效率。
• 应用场景：用于半导体刻蚀、沉积设备的射频电极支撑，如 ICP 刻蚀设备的上电极支撑、CVD 设备的喷淋头电极支撑等，适配先进制程的 200mm、300mm 晶圆生产线，保障等离子体密度稳定和工艺均匀性。