• 产品名称：半导体射频发生器匹配网络组件
• 产品简介：该组件是半导体射频系统的核心部件，用于匹配射频发生器与负载的阻抗，保障射频能量高效传输，减少信号反射，适配应用材料 13.56MHz、27.12MHz 等主流频率的射频发生器，适配 Centura 等系列刻蚀、沉积设备，是保障等离子体稳定激发的关键部件。
• 技术规格：
  • 工作频率范围 300kHz 至 60MHz，覆盖半导体工艺常用射频频率。
  • 阻抗匹配范围 10Ω 至 1000Ω，可适配不同负载阻抗变化。
  • 功率承载能力可达 5000W，满足高功率射频工艺需求。
  • 匹配速度小于 100ms，可快速响应负载阻抗变化，保障射频能量稳定传输。
  • 采用空气介质可变电容，电容调节精度 ±0.1pF。
  • 外壳材质为铝合金，具备良好的散热性能和屏蔽效果。
• 功能特点：
  • 具备自动匹配功能，无需人工干预，可实时跟踪负载阻抗变化，自动调节匹配参数。
  • 内置功率监测模块，可实时监测射频输入输出功率，数据上传至设备控制系统。
  • 具备过功率保护功能，当输入功率超出设定值时，自动切断电路，保护设备。
  • 结构设计便于安装和调试，可快速与射频发生器和负载连接。
  • 抗干扰能力强，减少外界电磁信号对射频系统的影响。
• 应用场景：应用于半导体干法刻蚀设备的等离子体激发、PECVD 设备的射频电极供电等场景，适配 200mm、300mm 晶圆生产线，保障等离子体密度均匀，提升工艺刻蚀速率和沉积薄膜质量。