• 产品名称：半导体设备射频功率分配器
• 产品简介：这是应用材料专为半导体射频系统设计的功率分配部件，用于将单一射频源的能量均匀分配至多个负载，适配 13.56MHz 等主流射频频率，适配 Centura 等系列刻蚀、沉积设备，保障多路射频能量分配精准，是维持等离子体稳定的关键部件，有效提升工艺一致性。
• 技术规格：
  • 工作频率范围 1MHz 至 60MHz，覆盖半导体工艺常用射频频段。
  • 功率分配路数为 4 路，每路功率承载能力可达 1000W，总功率容量 4000W。
  • 功率分配精度 ±0.5dB，保障各路负载能量均匀分配。
  • 输入输出接口为 N 型母头，适配半导体射频系统标准接口。
  • 驻波比小于 1.1，减少射频能量反射，提高能量利用率。
  • 工作温度范围 - 10℃至 50℃，适应设备工作环境。
• 功能特点：
  • 采用微带线结构设计，分配相位一致性误差小于 5°，保障等离子体均匀激发。
  • 内置功率监测端口，可实时监测各路输出功率，数据上传至设备控制系统。
  • 外壳采用铝合金材质，具备良好的屏蔽性能，减少射频信号泄漏。
  • 具备过功率保护功能，当某路负载异常时，自动切断该路功率输出，保护设备。
  • 结构紧凑，安装空间小，可快速与射频源和负载连接，调试便捷。
• 应用场景：应用于半导体 ICP 刻蚀设备的多路射频供电、PECVD 设备的多电极射频分配等场景，适配 200mm、300mm 晶圆生产线，保障等离子体密度均匀，提升刻蚀速率和沉积薄膜质量的一致性。