• 产品名称：半导体反应腔室陶瓷聚焦环组件
• 产品简介：该组件是应用材料针对半导体刻蚀设备研发的核心部件，适配 Centura 等系列刻蚀设备，用于聚焦等离子体，防止其扩散至腔室非工艺区域，同时保护腔室壁面免受等离子体侵蚀，是保障晶圆刻蚀均匀性和腔室部件寿命的关键易损件，适配 300mm 晶圆工艺。
• 技术规格：
  • 材质为高纯氧化铝陶瓷，纯度达 99.99%，耐高温、抗等离子体腐蚀性能优异。
  • 适配 300mm 晶圆工艺腔室，外径误差 ±0.02mm，内径误差 ±0.01mm，与晶圆承载台精准匹配。
  • 最高耐受温度 1200℃，可适应刻蚀工艺的高温环境。
  • 表面粗糙度 Ra≤0.3μm，减少工艺副产物附着，便于清洁维护。
  • 绝缘电阻大于 1×10^12Ω，击穿电压大于 3000V，保障电气安全。
  • 真空泄漏率小于 1×10^-10mbar・L/s，适配腔室真空环境。
• 功能特点：
  • 环形结构设计，可精准聚焦等离子体，使等离子体垂直作用于晶圆表面，保障刻蚀图形均匀性。
  • 陶瓷材质化学性质稳定，不会与刻蚀气体反应，避免污染晶圆和腔室。
  • 边缘采用倒角设计，减少等离子体鞘层畸变，提升刻蚀工艺的图形转移精度。
  • 安装采用卡扣式结构，可在 20 分钟内完成更换，减少设备停机时间。
  • 具备良好的导热性能，可快速导出等离子体轰击产生的热量，避免局部过热。
• 应用场景：主要用于半导体干法刻蚀设备的反应腔室，如硅刻蚀、介质刻蚀、金属刻蚀等工艺，适配 200mm、300mm 晶圆生产线，保障刻蚀速率稳定和图形精度，提升半导体器件制造良率。