• 产品名称：射频信号耦合器
• 产品简介：该产品是应用材料公司为半导体设备射频系统设计的核心信号传输部件，主要用于将射频电源输出的射频信号高效、稳定地耦合至工艺腔体的等离子体产生区域，实现射频能量的精准传输，同时具备阻抗匹配辅助、信号隔离等功能，能减少射频信号损耗与反射，提升射频能量利用率，是射频系统的关键配套元件。
• 技术规格
  • 工作频率为 13.56MHz/27.12MHz 双频段兼容，适配半导体等离子体工艺常用射频频段。
  • 额定射频功率容量为 5000W，最大峰值功率可达 8000W，满足中高功率射频系统需求。
  • 耦合系数为 0.1-0.9 连续可调，可根据工艺需求调整射频能量耦合比例。
  • 输入 / 输出阻抗均为 50Ω，与射频系统标准阻抗匹配，信号传输损耗小于 0.5dB。
  • 隔离度大于 25dB，能有效防止腔体等离子体反馈信号对射频电源造成干扰。
  • 主体材质为黄铜镀银，射频传输性能优异，抗氧化、耐腐蚀。
  • 工作温度范围为 - 20℃至 80℃，采用风冷散热方式，满功率运行时温升小于 30℃。
  • 安装接口为 N 型射频接头，连接稳定性高，插拔次数可达 1000 次以上。
• 功能特点
  • 采用同轴式结构设计，射频信号传输路径短，损耗低，能量耦合效率高达 98% 以上。
  • 耦合系数可调设计，可通过调节旋钮精准控制射频能量输入腔体的比例，适配不同刻蚀 / 沉积工艺的等离子体密度需求。
  • 内置射频信号滤波功能，能有效抑制射频信号中的谐波成分，减少对设备其他电气部件的电磁干扰。
  • 外壳采用接地屏蔽设计，屏蔽效能达 90dB 以上，防止射频信号外泄，保障设备操作安全与车间电磁环境。
  • 结构坚固，抗振动性能强，可承受设备运行过程中的振动冲击，长期运行无参数漂移，稳定性优异。
• 应用场景：广泛应用于半导体等离子体刻蚀设备、等离子体增强化学气相沉积设备、感应耦合等离子体（ICP）设备、射频溅射设备等，用于射频信号的耦合传输，适配 200mm、300mm 晶圆的刻蚀、沉积、溅射等工艺，是提升射频能量利用率、保障等离子体稳定产生的核心射频备件。