• 产品名称：工艺腔体气体导流板组件
• 产品简介：该产品是应用材料公司为半导体化学气相沉积设备设计的核心工艺部件，安装在工艺腔体内部、喷淋头下方，采用精密流道设计，能将喷淋头喷射的工艺气体进行二次均匀分配与导流，优化气体在腔体内的流场分布，使工艺气体均匀覆盖晶圆表面，直接影响薄膜沉积的速率均匀性与台阶覆盖率，是保障沉积工艺质量的关键元件。
• 技术规格
  • 适配 300mm 晶圆化学气相沉积腔体，有效导流面积 φ320mm，与晶圆表面完全匹配。
  • 主体材质为铝合金基体内衬氮化铝陶瓷，陶瓷层厚度 3mm，耐等离子体侵蚀、导热性能优异。
  • 导流孔采用阵列式分布，共 1800 个导流孔，孔径 0.4mm，孔间距 1.5mm，流场分布均匀。
  • 适配工艺气体包括硅烷、氨气、甲烷、硅烷、氧化亚氮等半导体常用沉积气体，兼容混合气体导流。
  • 工作温度范围为 0℃至 300℃，工作压力范围 0-10Torr，适配沉积工艺的真空与温度工况。
  • 与腔体的安装方式为法兰式，密封采用氟橡胶密封圈，泄漏率小于 10⁻⁸Pa・m³/s。
  • 整体尺寸为 φ350mm×25mm，重量小于 2.5kg，适配腔体内部安装空间。
• 功能特点
  • 采用仿生流道设计，能有效消除气体喷射后的涡流现象，使工艺气体以层流状态均匀作用于晶圆表面，沉积均匀性小于 ±2%。
  • 氮化铝陶瓷内衬具备优异的抗等离子体轰击能力与化学稳定性，可抵御沉积工艺中产生的腐蚀性副产物侵蚀，使用寿命长。
  • 导流板表面经过精密抛光处理，粗糙度 Ra 小于 0.2μm，减少气体吸附与颗粒残留，降低工艺污染风险。
  • 具备可拆卸式结构，便于清洗与维护，可定期对导流孔进行清理，保证流道通畅，维持工艺稳定性。
  • 与喷淋头、腔体的配合精度高达 ±0.02mm，安装后无偏移，确保流场分布的一致性。
• 应用场景：主要应用于半导体 300mm 晶圆的化学气相沉积（CVD）设备、等离子体增强化学气相沉积（PECVD）设备、原子层沉积（ALD）设备等，用于工艺气体的二次均匀导流，适配二氧化硅、氮化硅、多晶硅、金属氧化物等薄膜的沉积工艺，广泛应用于逻辑芯片、存储芯片、半导体封装等生产流程，是提升薄膜沉积均匀性与晶圆良率的核心工艺备件。