• 产品名称：晶圆工艺腔体温控模块
• 产品简介：该产品是应用材料公司为半导体工艺腔体研发的高精度温度控制核心部件，集成了温度采集、运算、加热 / 制冷驱动等功能，采用闭环 PID 控制算法，能对工艺腔体的温度进行精准、快速、稳定的调节，适配半导体工艺对腔体温度的严苛要求，是保障薄膜沉积、刻蚀、退火等工艺温度一致性的关键设备。
• 技术规格
  • 控温范围为 - 20℃至 400℃，控温精度 ±0.1℃，温度均匀性控制 ±0.3℃（腔体有效区域）。
  • 具备 4 路温度采集通道，适配热电偶（K/T/J 型）、热电阻（PT100/PT1000）等多种温度传感器。
  • 输出通道为 2 路加热驱动 + 2 路制冷驱动，加热输出功率最大 10kW，制冷驱动电流最大 5A。
  • 控制算法为经典 PID + 模糊自适应 PID，可根据温度偏差自动调整控制参数，无超调、无静差。
  • 通信接口支持 Ethernet/IP、Profinet，数据传输速率 100Mbps，支持远程参数配置与状态监控。
  • 工作电压为 AC 220V±10%，频率 50/60Hz，功耗小于 80W，工作温度范围 - 10℃至 60℃。
  • 具备温度数据存储功能，可存储 1000 组历史温度曲线，存储时长可达 1 年，支持数据导出。
• 功能特点
  • 采用多通道同步采集与控制技术，能实现工艺腔体多区域温度的协同调节，提升腔体整体温度均匀性。
  • 具备快速响应能力，温度阶跃变化时（如从室温升至 300℃），响应时间小于 5 分钟，且无超调。
  • 内置完善的温度保护机制，包括超温报警、超温停机、传感器故障报警、加热 / 制冷回路故障保护等，防止设备损坏与工艺异常。
  • 支持工艺配方存储功能，可存储 200 组控温配方，一键切换，满足不同工艺的温度需求。
  • 配备触摸屏本地操作界面，也可通过设备主控制系统远程控制，操作便捷，参数调整直观。
  • 模块化设计，各功能单元独立封装，故障排查与维修便捷，可快速更换故障单元，减少设备停机时间。
• 应用场景：广泛应用于半导体工艺腔体的温度控制系统，包括化学气相沉积（CVD）设备、原子层沉积（ALD）设备、等离子体刻蚀设备、快速热退火（RTP）设备、离子注入机工艺腔体等，用于精准控制腔体温度，保障晶圆在沉积、刻蚀、退火、掺杂等工艺中的温度一致性，适配 200mm、300mm 晶圆的制造工艺，提升半导体器件的性能与良率。