• 产品名称：加热基座组件
• 产品简介：安装在半导体工艺腔体内部，用于为晶圆提供稳定、均匀的加热环境，使晶圆在工艺过程中达到所需的反应温度，促进薄膜沉积、掺杂等工艺的进行。
• 技术规格
  • 加热功率：最大加热功率为 6 kW，可快速提升晶圆温度。
  • 温度范围：室温至 600℃，满足多种工艺的温度要求。
  • 温度均匀性：在整个晶圆承载区域内，温度均匀性可达 ±2℃。
  • 加热方式：采用电阻加热，加热速率快，控温精度高。
  • 适配晶圆尺寸：200mm，适配成熟制程的晶圆制造。
• 功能特点
  • 控温精度高，温度波动小，确保工艺的重复性和稳定性。
  • 加热响应速度快，能够在短时间内达到设定温度，提高工艺效率。
  • 具备过热保护功能，当温度超过设定阈值时，自动切断加热电源，防止设备损坏。
  • 表面经过特殊处理，具有良好的耐磨性和耐腐蚀性，适应恶劣的工艺环境。
• 应用场景：主要用于化学气相沉积、光刻胶固化等需要加热的半导体工艺环节，适配 AMAT 的多种 200mm 晶圆工艺设备。