产品名称：腔体等离子体屏蔽内衬组件产品简介：工艺腔体内部专用高精度屏蔽内衬，隔离等离子体与腔体金属内壁，减少副产物沉积，降低颗粒污染，延长腔体维护周期。技术规格
- 材质：高纯硅（Si）/ 石英（SiO₂）复合材料
- 表面处理：精密抛光 + 抗溅射涂层
- 厚度公差：±0.03mm
- 工作温度：≤600℃
- 洁净等级：SEMI 超高洁净级
- 适配腔体：200mm/300mm 刻蚀 / 沉积腔体功能特点
- 极强的抗等离子体刻蚀能力，使用寿命长
- 极低的放气率与金属析出，杜绝晶圆污染
- 精准的几何尺寸，安装无偏差
- 有效减少腔体副产物沉积
- 提升设备稼动率，降低生产成本应用场景：介质刻蚀腔体、导体刻蚀腔体、PVD/CVD 腔体防护、ALD 工艺腔体保护、等离子体清洗设备内衬。
AMAT QS-100NP-MP 
AMAT 0020-26158 