产品名称：真空腔体加热基座组件（300mm 制程）产品简介：半导体 300mm 真空腔体内部晶圆加热核心部件，为晶圆提供均匀、稳定的温度场，适配高温工艺制程。技术规格
- 加热方式：电阻式 / 红外复合加热
- 加热功率：6kW～10kW（定制）
- 控温范围：室温～800℃
- 控温精度：±1℃
- 温度均匀性：≤±2℃
- 真空适配：≤1×10⁻⁹ Torr
- 材质：高纯金属 / 陶瓷复合结构功能特点
- 全域均匀加热，无局部过热
- 快速升温、降温，响应速度快
- 耐等离子体冲刷与化学腐蚀
- 内置多通道温度传感器，闭环控温
- 低释气率，维持腔体洁净度应用场景
- 300mm 晶圆 PVD、CVD、ALD 高温制程腔体
- 晶圆退火、氧化工艺腔体
- 先进逻辑、存储芯片制造设备
AMAT 0190-03068-001 
AMAT 0200-36122 
AMAT 0100-09126 
AMAT 0100-02715 