产品名称：腔体聚焦环组件产品简介：等离子体刻蚀与沉积设备腔体内部的聚焦环，用于约束等离子体分布，改善晶圆边缘工艺均匀性。技术规格
- 材质：高纯硅、碳化硅或陶瓷
- 耐温：≤800℃
- 平面度：≤0.01 mm
- 真空适配：≤1×10⁻⁹ Torr
- 表面粗糙度：Ra ≤0.2 μm功能特点
- 有效约束等离子体路径，提升均匀性
- 耐等离子体冲刷、耐腐蚀
- 低杂质释放，不污染晶圆
- 结构稳定，长期使用不变形
- 安装定位精准，互换性强应用场景
- 介质刻蚀、导体刻蚀设备
- PECVD、HDP-CVD 腔体
- 先进逻辑与存储芯片制程
AMAT 0050-41405 
AMAT 0050-07527 
AMAT 0100-35057 
AMAT 0020-34587 