产品名称腔体内部射频屏蔽环组件产品简介该组件安装于工艺腔体内部电极外围，用于屏蔽杂散射频电场、均匀等离子体分布、减少射频打火风险，同时保护腔体内部部件免受射频干扰与污染。技术规格
- 材质：高纯度阳极氧化铝 / 陶瓷复合材料
- 表面处理：抗等离子体腐蚀涂层
- 结构形式：一体化环形屏蔽结构
- 尺寸精度：与腔体电极精准配合
- 耐温范围：-20℃～300℃
- 屏蔽效能：高效屏蔽射频干扰功能特点
- 高效屏蔽杂散射频电场，提升等离子体稳定性
- 均匀电场分布，减少射频打火与异常放电
- 耐等离子体腐蚀，使用寿命长
- 安装定位精准，拆装便捷
- 不影响气体流动与工艺均匀性
- 保护腔体内部部件免受射频干扰应用场景
- 等离子体刻蚀、PECVD 腔体射频屏蔽
- 射频电极防护与电场调控
- 200mm/300mm 标准工艺腔体
- 先进制程半导体设备
AMAT 0140-15214 
AMAT 0020-97794 
AMAT 0010-09301 