产品名称晶圆边缘工艺聚焦环组件产品简介该组件安装于晶圆承载台外围，用于优化晶圆边缘电场、气流与等离子体分布，改善晶圆边缘工艺均匀性，减少边缘效应，提升整片晶圆工艺一致性与良率。技术规格
- 材质：高纯度碳化硅与阳极氧化铝复合材质
- 表面处理：抗等离子体腐蚀高致密涂层
- 结构形式：一体化精密环形结构
- 平整度：亚微米级平面度
- 耐温范围：-20℃～350℃
- 洁净等级：高洁净、无颗粒释放功能特点
- 显著改善晶圆边缘工艺均匀性，提升良率。
- 均匀电场与气流分布，消除边缘效应。
- 耐等离子体腐蚀，不易变形、不粉化。
- 表面光滑，不易附着反应副产物，清洁简单。
- 安装定位精准，与承载台配合间隙均匀。
- 不影响晶圆传输与升降动作，运行稳定。应用场景
- 等离子体刻蚀、沉积设备晶圆边缘工艺优化
- 300mm 晶圆高精度工艺腔体
- 追求高边缘均匀性的先进制程
- Centura、Endura 系列半导体设备
AMAT 0200-00071 
AMAT 0020-22950 
AMAT 0010-39189 