产品名称：半导体设备等离子体腔体射频馈入端绝缘套产品简介：这是应用材料公司（AMAT）推出的原厂标准射频系统配件，属于半导体等离子体腔体射频馈入系统的核心绝缘部件，专为射频能量从外部馈入腔体内部的连接部位设计，实现射频传输过程中的电气绝缘与真空密封双重功能，保障射频能量的高效传输，同时防止腔体真空泄漏和射频能量泄漏，适配 AMAT 多款等离子体刻蚀、沉积设备的射频馈入系统。技术规格：
- 核心基材：高纯度熔融石英（SiO2）
- 密封配件：金属包覆氟橡胶密封圈
- 外形尺寸：外径 75mm× 内径 30mm× 高度 65mm
- 尺寸公差：±0.008mm
- 介电常数：3.8（13.56MHz 射频频率下）
- 介电损耗：≤0.001（13.56MHz 射频频率下）
- 绝缘电阻：≥10¹⁶ Ω（室温真空环境）
- 工作温度：-50℃至 500℃
- 适配射频功率：0-5000W
- 适配射频频率：13.56MHz/27.12MHz
- 适配真空度：≤1×10⁻¹⁰ mbar
- 密封漏率：＜1×10⁻¹¹ mbar・L/s功能特点：
- 采用高纯度熔融石英基材，具备极低的介电损耗和稳定的介电常数，在射频频率下能量损耗小，保障射频能量的高效传输
- 优异的电气绝缘性能，有效隔绝射频馈入端与金属腔体之间的电气传导，防止射频能量泄漏，保障设备和操作人员安全
- 金属包覆氟橡胶密封圈与熔融石英基材无缝贴合，实现超高真空密封，同时适应射频馈入端的轻微热变形，密封性能不衰减
- 精密加工的外形尺寸，与射频馈入端和腔体接口精准匹配，安装后无间隙，减少射频能量的反射，提高匹配效率
- 熔融石英基材耐高温、抗等离子体腐蚀，耐受高功率射频下的热辐射和等离子体溅射，长期使用无开裂、无老化
- 整体组件低放气率、低射频吸附，符合半导体超高真空和高功率射频工艺的双重要求应用场景：
- 适配应用材料 Centura 系列等离子体刻蚀机、Endura 系列 PVD 设备的射频馈入系统
- 应用于半导体 8 英寸、12 英寸晶圆制造的高功率等离子体刻蚀、金属沉积、氧化物沉积等工艺环节
- 可作为半导体等离子体设备射频馈入系统的原厂绝缘密封备件，用于设备日常维护、射频系统改造与腔体修复
AMAT 0050-33303 
AMAT 0020-43681 
AMAT 0020-40222 
AMAT 0020-34112 