产品名称：半导体设备真空工艺腔体气体分布器喷嘴产品简介：这是应用材料公司（AMAT）推出的原厂标准工艺气路配件，属于半导体真空工艺腔体气体分布器的核心部件，专为工艺气体的均匀喷射设计，实现工艺气体在腔体内部的精准、均匀分布，保障等离子体工艺的均匀性和晶圆加工的一致性，适配 AMAT 多款刻蚀、沉积设备的气体分布器系统，是半导体工艺气路的关键精密备件。技术规格：
- 主体材质：碳化硅（SiC）陶瓷，无压烧结成型
- 喷嘴孔径：0.2mm
- 喷嘴数量：128 个，呈正六边形阵列分布
- 孔径公差：±0.005mm
- 表面粗糙度：Ra≤0.1μm
- 工作温度：-20℃至 600℃
- 适配真空度：≤1×10⁻¹⁰ mbar
- 抗等离子体腐蚀：耐受高功率氟基、氧基、氩基等离子体长期溅射
- 气体流量范围：0.1-500sccm
- 安装适配：AMAT Centura 系列腔体气体分布器功能特点：
- 采用无压烧结碳化硅陶瓷基材，硬度高、耐磨性强、抗等离子体腐蚀性能优异，在长期高功率等离子体工艺中无磨损、无腐蚀，使用寿命长
- 喷嘴呈正六边形阵列分布，搭配精准的孔径设计，实现工艺气体在腔体内部的均匀喷射，保障晶圆表面的工艺气体浓度一致，提高工艺均匀性
- 超小喷嘴孔径且公差控制严格，可精准控制工艺气体的流量和喷射速度，适配不同制程的工艺气体流量要求
- 表面高精度抛光处理，减少工艺气体和等离子体在喷嘴表面的沉积与吸附，防止喷嘴堵塞，保障气路通畅
- 碳化硅基材热稳定性好，在高低温交变环境下无变形，保障喷嘴阵列的分布精度，避免气体分布不均
- 整体组件低放气率，符合半导体超高真空工艺要求，不释放杂质，保障工艺气体纯度应用场景：
- 适配应用材料 Centura 系列等离子体刻蚀机、化学气相沉积设备的气体分布器系统
- 应用于半导体 8 英寸、12 英寸晶圆制造的硅刻蚀、浅槽隔离刻蚀、金属沉积、氧化物沉积等工艺环节
- 可作为半导体真空工艺腔体气体分布器的原厂核心备件，用于设备日常维护、气体分布器清洗与更换、工艺气路改造
- 适用于半导体先进制程晶圆制造中对工艺气体分布均匀性要求高的等离子体工艺环节
AMAT 0050-33303 
AMAT 0020-43681 
AMAT 0020-40222 
AMAT 0020-34112 