• 产品名称：射频匹配器（RF Match Network）
• 产品简介：这是一款用于半导体等离子体工艺设备的射频匹配装置，其核心作用是实现射频电源与等离子体负载之间的阻抗匹配，最大化射频能量的传输效率，减少能量反射，保障等离子体工艺的稳定性，是刻蚀、PECVD 等设备中的关键射频部件。
• 技术规格
  • 工作频率：13.56MHz（半导体工艺常用射频频段）
  • 功率适配范围：0-3000W，可适配中高功率等离子体工艺需求
  • 阻抗匹配范围：10Ω - 500Ω，可自动适配不同工艺条件下的负载阻抗变化
  • 匹配速度：≤50ms，快速响应等离子体负载的动态变化
  • 驻波比（VSWR）：匹配完成后驻波比≤1.1，能量反射率低于 2%
  • 控制接口：RS485 与 EtherCAT 双接口，支持设备的远程控制与数据采集
  • 冷却方式：水冷散热，进水温度 25℃时，散热效率可达 1500W/℃
• 功能特点
  • 内置自动匹配算法，可实时监测负载阻抗并动态调整匹配参数，无需人工干预
  • 具备过功率、过温、过流三重保护功能，当设备出现异常时可快速切断射频输出，保护核心部件
  • 支持多组工艺参数存储，可快速切换不同的工艺配方，提升设备的工艺灵活性
  • 采用模块化设计，核心部件可单独更换，维护便捷，降低维修成本
• 应用场景：主要用于 300mm 晶圆的等离子体刻蚀、等离子体增强化学气相沉积（PECVD）、溅射沉积等工艺设备，适配 AMAT 的 Producer、Premier 等系列设备，适用于逻辑芯片、存储芯片（如 NAND Flash、DRAM）的制造过程，尤其在高深宽比刻蚀与薄膜沉积工艺中表现突出。