• 产品名称：真空腔室加热基座组件（Heated Pedestal Assembly）
• 产品简介：该组件是 AMAT 等离子体刻蚀与沉积设备中的核心部件，为晶圆提供稳定的加热环境，保障工艺过程中晶圆温度的均匀性，适配 300mm 晶圆工艺设备，是提升半导体工艺稳定性与产品良率的关键组件之一。
• 技术规格
  • 适配晶圆尺寸：300mm 标准半导体晶圆
  • 加热温度范围：室温至 600℃，温度调节精度 ±1℃
  • 温度均匀性：晶圆表面温度均匀性误差≤2℃，保障全片工艺一致性
  • 基座材质：采用氧化铝陶瓷涂层与高纯铝复合材质，具备良好的导热性与抗等离子体腐蚀性
  • 真空适配等级：可耐受 10^-9 Torr 超高真空环境，适配各类真空工艺腔室
  • 射频兼容性：可兼容 13.56MHz 射频功率输入，支持等离子体工艺的射频耦合需求
  • 冷却方式：内置水冷循环系统，冷却效率可达 500W/℃
• 功能特点
  • 采用分区加热控制技术，可独立调节晶圆不同区域的温度，适配边缘效应补偿需求
  • 具备实时温度监测功能，通过嵌入式热电偶传感器精准反馈基座温度，保障温度控制精度
  • 表面陶瓷涂层经过特殊处理，抗等离子体轰击能力强，使用寿命可达 10000 小时以上
  • 支持快速升温与降温，升温速率可达 50℃/s，降温速率可达 30℃/s，提升工艺节拍
• 应用场景：适配 AMAT Centura、Endura 系列刻蚀与沉积设备，广泛应用于 300mm 晶圆的逻辑芯片、存储芯片制造中，尤其适用于高深宽比刻蚀、金属有机化学气相沉积（MOCVD）等对晶圆温度要求严苛的工艺环节，保障薄膜沉积厚度均匀性与刻蚀图形精度。