• 产品名称：腔室屏蔽环组件
• 产品简介：该组件是半导体设备反应腔室的重要防护部件，用于保护腔室内部壁面免受等离子体侵蚀和工艺副产物沉积，同时辅助维持腔室内的等离子体均匀性，适配应用材料多款主流半导体工艺设备的反应腔室，是保障腔室长期稳定运行的关键易损件之一。
• 技术规格：
  • 材质选用高密度高纯氧化铝陶瓷，纯度高达 99.99%，具备优异的耐高温和抗等离子体腐蚀性能。
  • 尺寸适配特定型号反应腔室，外径、内径及厚度公差控制在 ±0.02mm，确保与腔室完美契合。
  • 表面粗糙度 Ra≤0.8μm，减少工艺副产物的附着，便于清洁维护。
  • 最高耐受温度 1200℃，可适应半导体工艺中高温环境。
  • 抗热震性能良好，在 1000℃至室温的温度骤变下无开裂风险。
• 功能特点：
  • 精准的尺寸设计与光滑表面，能有效阻挡等离子体对腔室壁的轰击，延长腔室主体使用寿命。
  • 陶瓷材质化学稳定性强，不会与工艺气体发生反应，避免污染晶圆。
  • 组件边缘采用圆弧过渡设计，减少等离子体鞘层畸变，有助于维持腔室内等离子体密度均匀分布。
  • 安装结构简单，便于快速更换，降低设备维护停机时间。
• 应用场景：广泛应用于半导体晶圆制造中的干法刻蚀、等离子体增强化学气相沉积等工艺设备的反应腔室，如 Endura 平台相关设备，尤其适用于对腔室洁净度和等离子体均匀性要求高的先进制程。