• 产品名称：喷淋头电极组件
• 产品简介：作为半导体 CVD（化学气相沉积）设备反应腔室的核心部件，该组件负责将工艺气体均匀输送至晶圆表面，同时可作为射频电极激发等离子体，适配应用材料 Producer 系列等沉积设备，对保障沉积薄膜的均匀性和一致性起着决定性作用，是沉积工艺的关键功能部件。
• 技术规格：
  • 材质采用高纯铝合金，表面经过阳极氧化处理，硬度高达 HV300 以上，耐腐蚀性能优异。
  • 喷淋孔数量根据设备型号定制，孔径均匀，公差 ±0.01mm，确保气体流量均匀分布。
  • 电极阻抗匹配精准，适配 13.56MHz 射频频率，射频功率承载能力可达 3000W。
  • 工作温度范围 0-400℃，可适应不同沉积工艺的温度需求。
  • 密封结构采用金属密封圈，真空泄漏率小于 1×10^-10mbar・L/s。
• 功能特点：
  • 独特的喷淋孔排布设计，结合气流仿真优化，实现晶圆表面气体浓度均匀分布，薄膜厚度均匀性误差小于 ±1%。
  • 射频电极与喷淋结构一体化设计，简化腔室内部结构，提高能量传输效率。
  • 表面涂层具备抗工艺气体腐蚀能力，延长组件使用寿命，减少维护频率。
  • 可快速拆卸安装，便于清洁和更换，降低设备停机时间。
• 应用场景：主要用于半导体晶圆的薄膜沉积工艺，如二氧化硅、氮化硅等介质薄膜沉积，适配 200mm、300mm 晶圆制造设备，应用于逻辑芯片、存储芯片等半导体器件的制造流程中。