• 产品名称：半导体工艺腔室加热元件组件
• 产品简介：该组件是半导体工艺腔室的核心加热部件，用于为腔室提供稳定均匀的加热环境，适配应用材料 Centura、Endura 等系列沉积、刻蚀设备，能精准控制腔室温度，保障晶圆工艺过程中温度参数的稳定，是影响薄膜沉积均匀性、刻蚀速率一致性等关键工艺指标的重要部件。
• 技术规格：
  • 加热功率可达 8kW，可快速将腔室温度提升至设定值，满足高温工艺需求。
  • 温度控制范围室温至 500℃，温度控制精度 ±0.2℃，保障工艺温度精准可控。
  • 采用电阻式加热方式，加热元件材质为高纯度镍铬合金，电阻值精度 ±1%。
  • 绝缘电阻大于 1×10^10Ω，击穿电压大于 2000V，保障电气安全。
  • 尺寸适配 300mm 晶圆工艺腔室，安装公差控制在 ±0.1mm，确保与腔室完美贴合。
  • 使用寿命可达 10000 小时，减少更换频率，降低使用成本。
• 功能特点：
  • 加热元件采用蛇形排布设计，实现腔室内部温度均匀分布，温度均匀性误差小于 ±1%。
  • 具备温度过温保护功能，当温度超出设定范围时，自动切断加热电源，保护腔室部件。
  • 表面覆盖耐高温绝缘涂层，防止加热元件与腔室其他部件短路，同时增强耐腐蚀性能。
  • 可与温度控制模块联动，实现温度闭环控制，保障工艺过程中温度稳定。
  • 安装结构简单，可快速拆卸更换，降低设备维护难度。
• 应用场景：主要用于半导体 PECVD 设备的反应腔室加热、ALD 设备的衬底加热、刻蚀设备的晶圆承载台加热等场景，适配先进制程的 200mm、300mm 晶圆生产线，保障薄膜沉积质量和刻蚀工艺效果。