• 产品名称：半导体反应腔室金属屏蔽环组件
• 产品简介：该金属屏蔽环组件是半导体工艺反应腔室的关键部件，用于屏蔽射频信号、维持腔室内等离子体均匀性，适配应用材料多款刻蚀、沉积设备，能有效减少射频信号泄漏，防止等离子体鞘层畸变，保障晶圆工艺质量，是半导体设备腔室的重要功能部件。
• 技术规格：
  • 材质为高纯钛合金，具备良好的耐等离子体腐蚀性能和导电性。
  • 适配 300mm 晶圆工艺腔室，尺寸公差控制在 ±0.02mm，确保与腔室完美契合。
  • 厚度为 5-10mm，根据设备型号定制，保障屏蔽效果和结构强度。
  • 表面粗糙度 Ra≤0.8μm，减少工艺副产物附着，便于清洁。
  • 工作温度范围 - 20℃至 400℃，适应腔室温度变化。
  • 射频屏蔽效率大于 90dB，有效阻挡射频信号泄漏。
• 功能特点：
  • 精准的尺寸设计，能有效屏蔽射频信号，减少对设备其他部件的干扰。
  • 钛合金材质化学性质稳定，不会与工艺气体发生反应，避免污染晶圆。
  • 边缘采用圆弧过渡设计，减少等离子体鞘层畸变，保障晶圆表面工艺均匀性。
  • 安装拆卸方便，采用卡扣式设计，可快速更换，降低设备维护时间。
  • 具备良好的导热性能，可快速导出腔室内的热量，维持腔室温度稳定。
• 应用场景：广泛应用于半导体等离子体刻蚀、沉积设备的反应腔室，如硅刻蚀、氮化硅沉积等工艺，适配 200mm、300mm 晶圆生产线，保障等离子体密度均匀，提升半导体器件的制造质量。