• 产品名称：半导体工艺腔室屏蔽罩组件
• 产品简介：该屏蔽罩组件是半导体刻蚀、沉积设备腔室的核心防护部件，适配应用材料 Endura、Centura 等系列设备，用于阻挡等离子体侵蚀腔室壁面，同时屏蔽射频信号泄漏，保障腔室内部等离子体均匀性，采用高纯金属材质，具备良好的耐腐蚀性和导电性，是延长腔室使用寿命的关键易损件。
• 技术规格：
  • 材质为高纯钛，纯度达 99.99%，耐等离子体腐蚀性能优异。
  • 适配 300mm 晶圆工艺腔室，尺寸公差控制在 ±0.02mm，与腔室精准契合。
  • 厚度为 8mm，保障结构强度和屏蔽效果。
  • 表面粗糙度 Ra≤0.8μm，减少工艺副产物附着，便于清洁。
  • 最高耐受温度 800℃，适应高温工艺环境。
  • 射频屏蔽效率大于 95dB，有效阻挡射频信号泄漏。
• 功能特点：
  • 整体冲压成型，结构精度高，可精准贴合腔室壁面，阻挡等离子体扩散。
  • 钛材质化学性质稳定，不会与刻蚀、沉积工艺气体反应，避免污染晶圆。
  • 边缘采用圆弧过渡设计，减少等离子体鞘层畸变，提升工艺均匀性。
  • 安装采用螺栓固定，可快速拆卸更换，降低设备维护时间。
  • 具备良好的导热性能，可快速导出等离子体轰击产生的热量，避免局部过热。
• 应用场景：安装在半导体刻蚀设备的反应腔室、沉积设备的工艺腔室内部，适配 200mm、300mm 晶圆生产线，用于硅刻蚀、氮化硅沉积等工艺，保障腔室部件不受侵蚀，同时维持等离子体稳定，提升工艺质量。