• 产品名称：等离子体防护石英罩
• 产品简介：该石英罩是应用材料公司专为半导体等离子体工艺设备设计的核心防护部件，安装在工艺腔体内部，用于隔离等离子体与腔体金属部件，防止等离子体轰击造成腔体部件腐蚀，同时优化等离子体在腔体内的分布，保障晶圆工艺的均匀性，是延长腔体使用寿命、提升工艺稳定性的关键元件，适配各类等离子体刻蚀、沉积设备。
• 技术规格
  • 适配 300mm 晶圆等离子体工艺腔体，整体外径为 380mm，高度为 200mm，厚度为 10mm。
  • 材质为高纯度合成石英，纯度 99.999%，抗等离子体轰击能力优异。
  • 最高工作温度为 1000℃，可在等离子体高温环境中长期稳定工作。
  • 介电常数为 3.7-3.8（1MHz），绝缘性能优异，避免等离子体电荷积累。
  • 表面经过等离子体抛光处理，无微孔、无杂质，减少等离子体吸附。
• 功能特点
  • 抗等离子体侵蚀能力强，在氟基、氯基等离子体环境中，磨损速率小于 0.1μm/h，使用寿命长。
  • 等离子体透过率高，能使等离子体均匀作用于晶圆表面，提升工艺刻蚀 / 沉积的均匀性。
  • 与腔体密封面的贴合精度高，密封间隙小于 0.1mm，保障腔体的真空密封性。
  • 热膨胀系数低，为 5.0×10⁻⁷/℃，温度骤变时无开裂，热稳定性好。
• 应用场景：主要应用于半导体等离子体刻蚀设备、等离子体增强化学气相沉积（PECVD）设备、感应耦合等离子体（ICP）设备等，安装在 300mm 晶圆工艺腔体内部，隔离等离子体与腔体金属壁，防止腔体腐蚀，同时优化等离子体分布，适配逻辑芯片、存储芯片的刻蚀与薄膜沉积工艺，提升设备腔体使用寿命与晶圆工艺良率。