• 产品名称：工艺腔体喷淋头组件
• 产品简介：该喷淋头组件是应用材料公司为半导体化学气相沉积设备设计的核心工艺部件，安装在工艺腔体顶部，负责将工艺气体均匀喷射至晶圆表面，实现工艺气体的高效混合与均匀分布，直接影响晶圆表面薄膜的沉积速率与均匀性，具备气体分布均匀、抗等离子体侵蚀、密封性能好等特点，是保障薄膜沉积工艺质量的关键元件。
• 技术规格
  • 适配 300mm 晶圆化学气相沉积腔体，喷淋头有效喷射面积为 φ320mm，覆盖整个晶圆表面。
  • 喷淋孔数量为 1200 个，孔径为 0.5mm，呈蜂窝状均匀分布，确保气体分布均匀。
  • 材质为铝合金基体内衬陶瓷，陶瓷层厚度为 2mm，抗等离子体与耐化学腐蚀性能优异。
  • 适配工艺气体包括硅烷、氨气、甲烷、氧气等半导体常用沉积气体。
  • 工作温度范围为 0℃至 200℃，工作压力范围为 0-5Torr，适配沉积工艺参数。
• 功能特点
  • 气体分布均匀性小于 ±3%，确保晶圆表面各位置薄膜沉积速率与厚度一致。
  • 内置气体混合腔，能实现多种工艺气体的高效混合，提升反应效率。
  • 与腔体的密封采用金属密封结构，泄漏率小于 10⁻⁹Pa・m³/s，保障腔体真空密封性。
  • 抗等离子体轰击能力强，陶瓷内衬层无脱落、无侵蚀，使用寿命长。
  • 具备可拆卸设计，便于清洗与维护，减少工艺污染。
• 应用场景：主要应用于半导体化学气相沉积（CVD）设备、原子层沉积（ALD）设备、等离子体增强化学气相沉积（PECVD）设备等，安装在 300mm 晶圆工艺腔体顶部，实现工艺气体的均匀喷射与混合，适配二氧化硅、氮化硅、多晶硅等薄膜的沉积工艺，提升晶圆薄膜沉积的均匀性与良率，广泛应用于逻辑芯片、存储芯片的制造流程。