• 产品名称：石英工艺腔体内衬
• 产品简介：该内衬是应用材料公司为半导体等离子体工艺腔体设计的防护部件，安装在腔体内部，用于隔离等离子体与腔体金属壁，防止等离子体轰击造成腔体腐蚀，同时优化等离子体在腔体内的分布，保障晶圆工艺的均匀性，采用高纯石英材质，能在高真空、高温、强化学腐蚀环境下稳定工作。
• 技术规格
  • 适配 300mm 晶圆工艺腔体，内衬内径为 380mm，高度为 250mm，厚度为 8mm。
  • 材质为高纯熔融石英，纯度 99.999%，杂质含量低于 0.1ppm。
  • 最高工作温度为 1000℃，可在等离子体高温环境中长期工作。
  • 介电常数为 3.7（1MHz），绝缘性能好，避免等离子体电荷积累。
  • 表面粗糙度 Ra 小于 0.2μm，减少等离子体吸附，保障工艺稳定性。
• 功能特点
  • 抗等离子体侵蚀能力强，在氟基、氧基等离子体环境中，磨损速率小于 0.1μm/h，使用寿命长。
  • 等离子体透过率高，能使等离子体均匀作用于晶圆表面，提升工艺均匀性。
  • 热稳定性好，热膨胀系数低，温度骤变时无开裂现象。
  • 与腔体的贴合精度高，安装后密封间隙小于 0.1mm，保障腔体真空密封性。
  • 耐化学腐蚀性强，可抵御半导体工艺中常用化学试剂的侵蚀，无杂质析出。
• 应用场景：主要应用于半导体 300mm 晶圆的等离子体刻蚀设备、等离子体增强化学气相沉积设备等，安装在工艺腔体内部，隔离等离子体与腔体金属壁，防止腔体腐蚀，适配逻辑芯片、存储芯片的刻蚀与薄膜沉积工艺，提升设备腔体使用寿命与晶圆工艺良率。