• 产品名称：高纯石英边缘环
• 产品简介：该产品是应用材料公司为半导体等离子体刻蚀设备研发的高精度工艺防护部件，安装在 300mm 晶圆承载台边缘，采用超高纯石英材质经精密加工制成，兼具等离子体防护、晶圆限位与等离子体分布优化功能，能有效防止等离子体轰击损坏承载台，同时提升晶圆边缘刻蚀的均匀性，是刻蚀工艺中保障晶圆良率的核心元件。
• 技术规格
  • 适配晶圆尺寸为 300mm，内径 300.2mm，外径 320mm，厚度 12mm，定心精度 ±0.05mm。
  • 材质为电子级超高纯熔融石英，纯度 99.9999%，杂质含量低于 0.05ppm，无金属离子析出。
  • 最高工作温度为 1100℃，热膨胀系数 5.0×10⁻⁷/℃，温度骤变无开裂，热稳定性优异。
  • 表面经过等离子体抛光 + 化学抛光双重处理，粗糙度 Ra 小于 0.1μm，无毛刺、无微孔。
  • 抗等离子体侵蚀能力：氟基等离子体环境下磨损速率小于 0.08μm/h。
  • 适配刻蚀设备腔体真空度范围 10⁻⁶Pa 至 10Torr，兼容氯基、氟基、氧基等各类刻蚀工艺。
• 功能特点
  • 采用阶梯式边缘结构设计，可有效约束等离子体边界，优化晶圆边缘的等离子体密度分布，解决刻蚀 “边缘效应” 问题。
  • 晶圆接触区域采用圆弧倒角设计，避免划伤晶圆边缘，同时防止晶圆在工艺过程中发生偏移。
  • 石英材质具备优异的绝缘性能，避免晶圆与承载台之间产生静电感应，防止静电损伤晶圆器件。
  • 耐化学腐蚀性强，可抵御刻蚀工艺中产生的氟化氢、氯化氢等腐蚀性副产物的侵蚀，无溶出物。
  • 与承载台的贴合面采用精密研磨，间隙小于 0.03mm，安装后无松动，工艺过程中保持稳定。
• 应用场景：广泛应用于 300mm 晶圆的等离子体刻蚀设备，包括逻辑芯片刻蚀、存储芯片刻蚀、高深宽比结构刻蚀等工艺，适配硅刻蚀、金属刻蚀、介质刻蚀等各类刻蚀环节，主要安装在刻蚀腔体晶圆承载台边缘，用于防护承载台、优化等离子体分布、提升晶圆刻蚀均匀性，是半导体刻蚀工艺的核心易损备件。