• 产品名称：等离子体源腔体
• 产品简介：是产生用于半导体工艺的高密度等离子体的核心部件，通过射频放电激发工艺气体形成等离子体，为蚀刻、清洗等工艺提供活性粒子，适配 AMAT 的等离子体蚀刻与表面处理设备。
• 技术规格
  • 腔体材质：高纯石英，耐高温且抗等离子体侵蚀。
  • 工作频率：2 MHz 与 13.56 MHz 双频射频激励，可产生高密度等离子体。
  • 等离子体密度：≥10^11 cm^-3，满足高精度蚀刻工艺需求。
  • 工作压力：1 mTorr - 10 Torr，适配不同工艺的压力要求。
  • 适配晶圆尺寸：300mm，符合主流晶圆制造规格。
  • 冷却方式：水冷，可快速导出腔体热量，控制腔体温度。
• 功能特点
  • 等离子体密度高且分布均匀，保障晶圆表面工艺的均匀性，提升产品良率。
  • 双频射频控制，可独立调节等离子体密度与离子能量，适配不同工艺需求。
  • 腔体清洁方便，石英材质表面光滑，便于去除沉积的反应产物。
  • 结构稳定，可长期承受等离子体冲击，使用寿命长，维护成本低。
• 应用场景：用于 AMAT 的 300mm 晶圆等离子体蚀刻设备，适配逻辑芯片、存储芯片制造中的介质蚀刻、金属蚀刻等工艺，也可用于晶圆表面的等离子体清洗工艺。