产品名称：半导体设备高频射频匹配器电容板

产品简介：该产品是应用材料半导体设备高频射频匹配器的核心核心部件，专为射频功率传输与阻抗匹配设计，采用高纯度无氧铜与陶瓷绝缘基材复合制成，具备优异的导电性能和绝缘性能，可实现射频功率的高效传输和精准的阻抗匹配，适配 AMAT 多款刻蚀、等离子体沉积设备的射频匹配系统，是保障射频功率稳定输出、等离子体工艺稳定的关键部件。

技术规格：

适配射频频率：13.56MHz

额定工作功率：3000W

主体导电材质：99.999% 高纯度无氧铜

绝缘基材：氧化铝陶瓷（99.7%）

电容调节范围：5-200pF

工作电压：≤5000V

工作温度：-40℃至 200℃

介电强度：≥20kV/mm

表面处理：镀金处理（厚度 0.02mm）

安装方式：螺栓固定

适配设备：AMAT 刻蚀 / 等离子体沉积设备射频匹配器

功能特点：采用 99.999% 高纯度无氧铜作为导电基材，导电性能优异，射频功率传输损耗＜1%，实现功率高效利用；表面镀金处理，抗氧化、抗腐蚀，降低射频传输过程中的表面电阻，保障长期使用的导电稳定性；氧化铝陶瓷绝缘基材，介电强度高、绝缘性能好，可有效阻隔高压电，避免短路故障，适配高频高压的射频工作环境；电容调节范围宽，可精准匹配不同工艺工况下的负载阻抗，实现射频功率的稳定输出，保障等离子体密度均匀；整体结构为模块化设计，安装与更换便捷，可快速完成射频匹配器的部件维护；耐温性能优异，在射频功率工作产生的高温环境下，无变形、无性能衰减。

应用场景：主要应用于 AMAT 各类采用射频等离子体技术的半导体设备，包括等离子体刻蚀设备、等离子体增强化学气相沉积（PECVD）设备、感应耦合等离子体（ICP）设备等，适配 Logic、DRAM、NAND 晶圆制造的刻蚀、沉积、灰化等工艺环节，是射频匹配系统的核心配套部件。