产品名称：工艺腔室陶瓷聚焦环产品简介：应用于半导体等离子体工艺腔室的高纯度陶瓷部件，核心作用是约束等离子体分布、均匀化电场，提升晶圆表面工艺均匀性，同时保护腔室内部结构免受等离子体侵蚀，是刻蚀、沉积等工艺的关键易损件。技术规格
- 材质：高纯度氧化铝 / 氮化铝陶瓷，致密度≥99.5%
- 适配尺寸：300mm 晶圆标准工艺腔室
- 表面精度：镜面级抛光，粗糙度 Ra≤0.2μm
- 绝缘性能：体积电阻率≥10¹⁴Ω・cm，绝缘可靠
- 耐热性能：耐受≥600℃工艺温度，热稳定性优异功能特点
- 等离子体约束精准，显著提升晶圆工艺均匀性
- 耐等离子体冲刷与化学腐蚀，使用寿命长
- 低释气、无金属污染，保障高洁净工艺环境
- 几何公差严格，与原厂腔室完全匹配，安装无偏移
- 抗热冲击能力强，适应快速升降温工艺场景应用场景
- 干法刻蚀（ICP/CCP）工艺腔室
- 高密度等离子体化学气相沉积（HDPCVD）设备
- 先进逻辑、存储芯片制造前道工艺
- Endura、Centura 系列半导体设备腔室维护
AMAT 0200-09761 
AMAT 0200-08347 
AMAT 0200-00262 
AMAT 0190-36349 