产品名称：腔体内部等离子体屏蔽内衬简介：安装于腔体内部的高精度屏蔽内衬，隔离等离子体与腔壁，减少副产物沉积，延长腔体寿命并降低颗粒污染。技术规格
- 材质：高纯硅 / 碳化硅 / 石英复合材料
- 表面处理：精密抛光 + 抗等离子体涂层
- 适配腔体：200mm/300mm 制程腔体
- 厚度：高精度定制厚度
- 洁净等级：SEMI 超高洁净级功能特点
- 抗等离子体刻蚀，使用寿命长
- 低放气、低金属析出，无颗粒污染
- 精准定位，安装无偏差
- 降低维护频次，提升设备稼动率应用场景：介质刻蚀腔体、导体刻蚀腔体、PVD/CVD 腔体防护、ALD 工艺腔体内部保护。
AMAT 0200-08347 
AMAT 0200-00262 
AMAT 0190-36349 