产品名称：腔体内部等离子体屏蔽内衬组件产品简介：安装于工艺腔体内部的高精度屏蔽内衬，用于隔离等离子体与腔体金属内壁，减少副产物沉积，降低颗粒污染风险，延长腔体维护周期与使用寿命。技术规格
- 材质：高纯硅（Si）/ 碳化硅（SiC）/ 石英（SiO₂）复合材料
- 表面处理：精密抛光 + 抗等离子体溅射涂层
- 适配腔体：200mm/300mm 标准制程腔体
- 厚度公差：±0.02mm
- 工作温度：≤600℃
- 洁净等级：SEMI 超高洁净级，无杂质、无放气功能特点
- 极强的抗等离子体刻蚀与溅射能力，使用寿命长
- 极低的放气率与金属析出，杜绝晶圆污染
- 精准的几何尺寸与定位，安装无偏差
- 有效减少腔体副产物沉积，降低维护频次
- 提升设备稼动率，降低生产成本应用场景：介质刻蚀腔体、导体刻蚀腔体、PVD/CVD 腔体防护、ALD 工艺腔体内部保护、等离子体清洗设备内衬。
AMAT QS-100NP-MP 
AMAT 0020-26158 
AMAT 0200-09768 