产品名称：真空腔体加热基座组件产品简介：半导体真空反应腔专用加热基座，为晶圆提供稳定、均匀的工艺温度，适配高真空与等离子体环境。技术规格
- 材质：高纯碳化硅 / 铝合金复合基材，表面陶瓷涂层
- 加热功率：3kW～5kW（定制）
- 控温范围：室温～600℃
- 控温精度：±1℃
- 真空适配：≤1×10⁻⁹ Torr
- 平面度：≤0.01mm功能特点
- 全域均匀加热，晶圆温度梯度≤±2℃
- 耐等离子体冲刷与化学腐蚀，寿命长
- 低释气率，维持腔体高洁净度
- 内置温度传感器，实时闭环控温
- 防静电设计，保护晶圆免受静电损伤应用场景
- PVD、CVD、ALD 等薄膜沉积设备
- 刻蚀、离子注入等高温制程腔体
- 200mm/300mm 晶圆制程加热工位
AMAT 0190-03068-001 
AMAT 0200-36122 
AMAT 0100-09126 
AMAT 0100-02715 