产品名称：腔体内部等离子体诊断探针产品简介：半导体等离子体制程的核心监测部件，用于实时采集腔体内部等离子体密度、电子温度与电位等关键参数，为工艺闭环控制提供数据支撑。技术规格
- 测量参数：等离子体密度（10⁹～10¹² cm⁻³）、电子温度（1～5eV）
- 工作频段：DC～100MHz
- 探针材质：钨（W）尖端 + 氧化铝陶瓷绝缘
- 插入深度：0～50mm（可调节）
- 冷却方式：水冷（流量≥1L/min）
- 工作温度：探针尖端≤800℃
- 输出信号：射频电流 / 电压信号，低噪声放大输出功能特点
- 实时在线监测，数据刷新率≥100Hz
- 耐高温等离子体冲刷，探针寿命长
- 低干扰设计，不影响等离子体稳定性
- 与设备工艺控制系统无缝对接，实现闭环控制
- 校准简单，支持多种等离子体工艺环境应用场景
- 等离子体刻蚀（RIE、ICP）设备工艺监测
- PECVD 设备等离子体状态诊断
- 半导体工艺研发与量产中的等离子体参数优化
AMAT 0020-89739 
AMAT 0041-32713 
AMAT 0090-20298 
AMAT 0240-08239 