产品名称：等离子体约束环组件产品简介：用于等离子体制程腔体内部的约束环，用于均匀等离子体分布、改善晶圆边缘工艺均匀性并保护腔体内部件。技术规格
- 材质：高纯碳化硅 / 陶瓷 / 单晶硅
- 耐温范围：≤800℃
- 平面度：≤0.01 mm
- 表面粗糙度：Ra ≤0.2 μm
- 真空适配：≤1×10⁻⁹ Torr功能特点
- 有效约束等离子体路径，提升制程均匀性
- 耐等离子体冲刷、耐氟氯基腐蚀
- 低杂质释放，不污染晶圆与腔体
- 结构稳定，长期使用不变形、不剥落
- 定位精准，互换性强应用场景
- 等离子体刻蚀、PECVD、HDP-CVD 腔体
- 200mm / 300mm 晶圆制程设备
- 先进逻辑、功率与存储芯片制程
AMAT 0050-41405 
AMAT 0050-07527 
AMAT 0100-35057 
AMAT 0020-34587 