产品名称：等离子体约束均流环产品简介：安装在半导体等离子体制程腔体内侧的环形部件，用于约束等离子体运动轨迹、均匀电场与气流分布，提升晶圆工艺均匀性并保护腔体内壁。技术规格
- 材质：高纯碳化硅 / 高纯硅
- 耐温上限：≤800℃
- 平面度：≤0.01mm
- 表面粗糙度：Ra≤0.2μm
- 适用真空度：≤1×10⁻⁹ Torr
- 适配晶圆规格：200mm/300mm功能特点
- 精准约束等离子体分布，提升膜厚与刻蚀均匀性
- 耐等离子体冲刷、耐氟氯类腐蚀性气体
- 低杂质释放，不产生颗粒污染晶圆
- 结构稳定，长期使用不变形、不剥落
- 标准化定位结构，互换性强，安装便捷应用场景
- 电容耦合 / 电感耦合等离子体刻蚀设备
- PECVD、HDP-CVD 薄膜沉积腔体
- 先进逻辑芯片、功率器件、存储芯片制程
AMAT 0050-41405 
AMAT 0050-07527 
AMAT 0100-35057 
AMAT 0020-34587 