产品名称：等离子体约束环组件产品简介：安装于等离子体反应腔内部的约束环，用于约束等离子体分布范围、均匀电场与气流，提升晶圆边缘制程均匀性，同时保护腔体内部件。技术规格
- 材质：高纯碳化硅 / 高纯单晶硅
- 耐温上限：≤800℃
- 平面度：≤0.01mm
- 表面粗糙度：Ra≤0.2μm
- 适用真空度：≤1×10⁻⁹ Torr
- 适配晶圆规格：200mm/300mm功能特点
- 有效约束等离子体轨迹，提升膜厚与刻蚀均匀性
- 耐等离子体冲刷、耐氟氯类腐蚀气体
- 低释气、低杂质析出，不污染晶圆与腔体
- 结构稳定，长期使用不变形、不剥落
- 定位精准，安装后无需额外调整应用场景
- 电容耦合 / 电感耦合等离子体刻蚀设备
- PECVD、HDP-CVD 薄膜沉积腔体
- 先进逻辑芯片、功率器件与存储芯片制程
AMAT 0050-41405 
AMAT 0050-07527 
AMAT 0100-35057 
AMAT 0020-34587 