产品名称等离子体约束屏蔽组件
产品简介该部件是半导体工艺腔体内部核心防护与电场调控部件,主要用于约束等离子体分布、减少腔体内壁溅射损伤、稳定工艺电场环境,是刻蚀与薄膜沉积设备中维持工艺稳定性的关键结构件。
技术规格
- 材质:高纯度铝合金 / 陶瓷复合表面处理
- 表面工艺:阳极氧化 + 抗等离子体涂层
- 适用腔体:200mm/300mm 标准工艺腔体
- 精度等级:微米级加工公差
- 耐温范围:-20℃~300℃连续稳定工作
- 抗腐蚀性能:耐受氟基、氯基等离子体长期轰击
功能特点
- 精准约束等离子体运动轨迹,提升工艺均匀性
- 有效降低腔体内壁污染,减少颗粒产生
- 高结构强度,不易变形、不易开裂
- 低释气率,满足超高真空环境要求
- 安装定位精准,可快速替换,缩短维护停机时间
- 长期使用后仍保持尺寸稳定性,无需频繁校准
应用场景
- 物理气相沉积(PVD)设备腔体
- 等离子体刻蚀(Etch)工艺腔体
- 化学气相沉积(CVD)设备反应腔
- 半导体晶圆制造前道工艺:金属层沉积、介质层刻蚀等
- 适用于 Centura、Endura 等主流半导体设备平台




AMAT 0140-15214
AMAT 0020-97794
AMAT 0010-09301