产品名称腔体内部等离子体约束屏蔽组件产品简介该组件是半导体工艺腔体内部关键结构件，用于约束等离子体运行轨迹、均匀电场分布、降低腔体内壁溅射损伤，保障刻蚀与沉积工艺的一致性与稳定性。技术规格
- 材质：高纯度阳极氧化铝与陶瓷复合材料
- 表面处理：抗等离子体腐蚀专用涂层
- 耐温范围：-20℃～300℃连续稳定工作
- 结构形式：一体化成型环形屏蔽结构
- 尺寸精度：微米级加工公差
- 洁净等级：超高洁净、低释气、无粉尘释放功能特点
- 精准约束等离子体运动轨迹，提升工艺均匀性
- 有效屏蔽杂散电场，减少异常放电与打火现象
- 高耐等离子体冲刷性能，延长使用寿命
- 表面致密光滑，不易吸附反应副产物，易于清洁
- 安装定位精准，可快速更换，降低维护停机时间
- 不干扰气体流动与压力场分布，保证工艺稳定性应用场景
- 等离子体刻蚀设备腔体内部
- 化学气相沉积、原子层沉积设备反应腔
- 半导体前道晶圆制造工艺
- 200mm/300mm 标准制程设备腔体
AMAT 0140-15214 
AMAT 0020-97794 
AMAT 0010-09301 