产品名称：ICP 感应耦合等离子体源天线产品简介：用于半导体刻蚀、沉积设备的等离子体激发，提供高密度、均匀等离子体源。技术规格：
- 材质：高纯铜（99.99%），表面镀镍 + 金，厚度 5μm
- 结构：双螺旋线圈，内径 300mm，匝数 8 匝
- 工作频率：13.56MHz，输入功率 0–3000W
- 冷却方式：内部水冷，流量 2–5 L/min，温度 < 40°C
- 绝缘：高纯石英套管，耐受 300°C 高温功能特点：
- 等离子体密度：> 1×10¹² cm⁻³，均匀性 ±3%（300mm 晶圆）
- 耦合效率：> 85%，能量利用率高
- 抗污染：表面无颗粒释放，耐受氟等离子体侵蚀
- 寿命：≥5,000 小时工艺时间，免维护应用场景：
- ICP 干法刻蚀设备（Centura DPS、Centura AdvantEdge）
- PECVD 高密度等离子体沉积
- 晶圆清洗、表面改性工艺
- 先进封装、MEMS 制造等离子体工艺
AMAT 0010-09395 
AMAT 6C50SHCS 
AMAT 0041-76691 